器件模擬造句
例句與造句
- 本論文的工作主要包括器件模擬和實(shí)驗(yàn)兩部分。
- 模擬實(shí)例表明器件模擬軟件pisces完全適用于對(duì)ccd的模擬。
- 器件模擬部分主要討論了模擬光通過(guò)刻面玻璃后,光的透過(guò)率情況。
- 摘要提出了一種基于二維器件模擬的深亞微米工藝外延型襯底的電阻宏模型。
- 文摘:針對(duì)半導(dǎo)體器件模擬中載流子方程兩種基本算法在高注入條件下的不足，提出了一種混合算法。
- 用器件模擬造句挺難的，這是一個(gè)萬(wàn)能造句的方法
- 此外，該宏模型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以得到與器件模擬基本一致的模擬結(jié)果，并可以方便地嵌入spice中進(jìn)行一定規(guī)模的電路模擬。
- 在本文中，通過(guò)使用二維器件模擬軟件medici ，對(duì)sicge sic異質(zhì)結(jié)的光電特性進(jìn)行了模擬。
- 摘要采用adi與高階緊致差分相結(jié)合的方法計(jì)算大型非對(duì)稱稀疏矩陣，并實(shí)現(xiàn)了該算法在半導(dǎo)體器件模擬中的應(yīng)用。
- 簡(jiǎn)要闡述了半導(dǎo)體器件模擬軟件在新器件開發(fā)中的應(yīng)用，對(duì)性能模擬擴(kuò)展與工藝模擬集成的優(yōu)勢(shì)作了簡(jiǎn)述。
- 該宏模型通過(guò)器件模擬與非線性擬合相結(jié)合的方法建立，使襯底寄生參數(shù)的提取更加方便，同時(shí)保障了深亞微米電路特性的模擬精度。
- 詳細(xì)闡述了半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的模型、模型的基本方程，探討了器件數(shù)值分析特有的邊界條件及算法分析，具體說(shuō)明器件模擬軟件須解決的問(wèn)題。
- 本論文研究了應(yīng)用于光通信的平面波導(dǎo)光器件與液晶光器件，提出了一些新型的器件結(jié)構(gòu)、器件模擬計(jì)算以及設(shè)計(jì)優(yōu)化的新方法，解決了平面波導(dǎo)光器件與液晶光器件研制中的若干問(wèn)題。
- 論文分析建立了4h - sicmosfet和mesfet器件的結(jié)構(gòu)模型和物理模型，采用二維器件模擬軟件medici對(duì)4h - sicmosfet和mesfet的輸出特性進(jìn)行了模擬分析，研究了溫度和結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)器件特性的影響，表明兩種器件的擊穿特性均沒(méi)有負(fù)阻現(xiàn)象，擊穿電壓分別達(dá)到85v和209v ，由此得到4h - sicmesfet最大功率密度可達(dá)到19 . 22w mm ；同時(shí)，研究了sic場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作工藝，初步得到了一套制造sicmosfet器件的制造工藝流程，研制出了4h - sicmosfet器件。
- 利用已有的工藝模擬軟件suprem器件模擬軟件minimos及電路模擬軟件pspice ，完成了響應(yīng)表面擬合spice模型參數(shù)提取及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等程序，形成一個(gè)可以進(jìn)行工藝器件及電路分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)的tcad工具，并用于研究實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方法在ic優(yōu)化設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。
- 本文首先介紹了國(guó)內(nèi)外功率集成電路的發(fā)展?fàn)顩r，然后介紹了高壓集成電路中的幾種終端技術(shù)、 resurf效應(yīng)、器件模擬的基本理論和medici器件模擬軟件，最后對(duì)三種型號(hào)的高壓功率器件的擊穿特性進(jìn)行了分析和計(jì)算機(jī)模擬，指出了影響器件電壓的關(guān)鍵的物理和結(jié)構(gòu)參數(shù)，并對(duì)這三種型號(hào)的器件進(jìn)行模擬，得出的電特性曲線和參數(shù)基本上與公司給出的一致。
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